Доступен к заказу
E3H2-T4B4M 2M
17 440 ₽
Фотоэлектрический датчик OMRON E3H2-R2B4M-M1
Доступен к заказу 
Фотоэлектрический датчик OMRON E3H2-R2B4M-M1
Датчик фотоэлектрический, M12 цилиндрический корпус, 2m отражение от рефлектора, PNP, M12 plug in
12 816 ₽ С НДС
01
Описание
Датчик фотоэлектрический, M12 цилиндрический корпус, 2m отражение от рефлектора, PNP, M12 plug in
Технические характеристики
Степень защиты (IP) IP67
Тип напряжения DC (постоян.)
Класс защиты лазера Нет (без)
Тип переключающего (коммутационного) выхода PNP
Категория безопасности согл. IEC 61496-1 1
Протокол интерфейса для связи по обеспечению безопасности Прочее
Способ настройки Обучаемый
Категория взрывобезопасности по пыли Нет (без)
Тип функционал. переключателей Прочее
Функция переключения Переключение при освещении/затемнении
Тип света Неполяризованный красный свет
Материал оптической поверхности Пластик
Категория взрывобезопасности по газу Нет (без)
Конструкция корпуса Цилиндр, с резьбой
Тип подключения Коннектор М12
Класс безопасности электрооборудования Класс безопасности 0
Материал корпуса Металл
С коммуникационным интерфейсом CANOpen нет
С коммуникационным интерфейсом Ethernet нет
Аналог. выход -10В...+10 В нет
С коммуникационным интерфейсом RS-422 нет
С рефлектором нет
Подходит для функций безопасности нет
С коммуникационным интерфейсом INTERBUS нет
С коммуникационным интерфейсом AS-Interface нет
С аналог. коммуникационным интерфейсом нет
С коммуникационным интерфейсом PROFIBUS нет
С функцией контроля нижестоящих коммутационных аппаратов нет
Предварительное уведомление о недостаточности нет
С коммуникационным интерфейсом SSI нет
С коммуникационным интерфейсом DeviceNet нет
С временными функциями нет
Аналог. выход 4....20 мА нет
С блокировкой перезапуска нет
С коммуникационным интерфейсом RS-232 нет
Аналог. выход 0...20 мА нет
С коммуникационным интерфейсом SSD нет
С коммуникационным интерфейсом RS-485 нет
Аналог. выход 0...10 В нет
С другим аналог. выходом нет
Количество сигнальных выходов с электрич. потенциалом 0
Количество защищённых контактов с потенциалом 0
Количество полупроводниковых выходов с защитой 0
Количество полупроводниковых выходов с сигнальными функциями 1
Ширина датчика 12 мм
Макс. выход. ток 100 мА
Время срабатывания 1.1 мс
Макс. дистанция переключения 2000 мм
Номин. расстояние срабатывания 2000 мм
Высота датчика 12 мм
Диаметр датчика 12 мм
Длина волны датчика 660 нм
Макс. ток на защищенном выходе 100 мА
Длина датчика 66 мм
Номин. напряжение питания цепи управления Us постоян. тока DC 10…30 В
Температура эксплуатации -25…55 °C
Доступен к заказу
E3H2-T4B4M-M1
23 282 ₽
Доступен к заказу
E3H2-T4C4M 2M
15 128 ₽
Доступен к заказу
E3H2-T4C4M-M1
15 128 ₽